聯(lián)系我們
聯(lián)系人：王先生 郭先生 李小姐
服務(wù)**：13522816641
電 話：010-62842129 82176483
傳 真：010-62561983
QQ： 871252939
QQ： 871252939
MSN：jia_li_da_shi@hotmail.com
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網(wǎng)站m.sykey.cn 查看相關(guān)的產(chǎn)品，
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時5S的服務(wù)
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網(wǎng)站m.sykey.cn 查看相關(guān)的產(chǎn)品，
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時5S的服務(wù)
文章詳情
IGBT模塊的發(fā)展簡述
日期：2026-06-10 21:56
瀏覽次數(shù)：807
摘要：
IGBT是絕緣門極雙極型晶體管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的英文縮寫。它是八十年代末，九十年代初迅速發(fā)展起來的新型復合器件。由于它將MOSFET和GTR的優(yōu)點集于一身，既有輸入阻抗高，速度快，熱穩(wěn)定性好，電壓驅(qū)動（MOSFET的優(yōu)點，克服GTR缺點）；又具有通態(tài)壓降低，可以向高電壓、大電流方向發(fā)展（GTR的優(yōu)點，克服MOSFET的缺點）等綜合優(yōu)點，因此IGBT發(fā)展很快，在開關(guān)頻率大于1KHz，功率大于5KW的應用場合具有優(yōu)勢。隨著以 MOSFET、IGBT 為代表的電壓控制型器件的出現(xiàn)，電力電子技術(shù)便從低頻 迅速邁入了高頻電力電子階段，并使電力電子技術(shù)發(fā)展得更加豐富，同時為高效節(jié)能、省材 、新能源、自動化及智能化提供了新的機遇。
IGBT模塊是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。
尊敬的客戶：
您好，我司致力為廣大用戶提供高品質(zhì)產(chǎn)品、完整的解決方案和**的技術(shù)服務(wù)。主要產(chǎn)品有INFINEON模塊，F(xiàn)ERRAZ熔斷器，DYNEX，BUSSMANN熔斷器等等。您可以通過網(wǎng)頁撥打本公司的服務(wù)**了解更多產(chǎn)品的詳細信息，至善至美的服務(wù)是我們不斷的追求，歡迎新老客戶放心選購自己心儀產(chǎn)品，我們將竭誠為您服務(wù)！
