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IGBT模塊的發展簡述
日期：2026-04-10 08:27
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摘要：
IGBT是絕緣門極雙極型晶體管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的英文縮寫。它是八十年代末，九十年代初迅速發展起來的新型復合器件。由于它將MOSFET和GTR的優點集于一身，既有輸入阻抗高，速度快，熱穩定性好，電壓驅動（MOSFET的優點，克服GTR缺點）；又具有通態壓降低，可以向高電壓、大電流方向發展（GTR的優點，克服MOSFET的缺點）等綜合優點，因此IGBT發展很快，在開關頻率大于1KHz，功率大于5KW的應用場合具有優勢。隨著以 MOSFET、IGBT 為代表的電壓控制型器件的出現，電力電子技術便從低頻 迅速邁入了高頻電力電子階段，并使電力電子技術發展得更加豐富，同時為高效節能、省材 、新能源、自動化及智能化提供了新的機遇。
IGBT模塊是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。
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