主營(yíng)產(chǎn)品：
DYNEX BUSSMANN BUSSMANN熔斷器 FERRAZ熔斷器 IXYS可控硅 ABB可控硅 INFINEON模塊
西門(mén)康IGBT IGBT模塊
聯(lián)系我們
聯(lián)系人：王先生 郭先生 李小姐
服務(wù)**：13522816641
電 話(huà)：010-62842129 82176483
傳 真：010-62561983
QQ： 871252939
QQ： 871252939
MSN：jia_li_da_shi@hotmail.com
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網(wǎng)站m.sykey.cn 查看相關(guān)的產(chǎn)品，
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時(shí)5S的服務(wù)
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網(wǎng)站m.sykey.cn 查看相關(guān)的產(chǎn)品，
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時(shí)5S的服務(wù)
-
IGBT模塊的選擇方法 IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見(jiàn)下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模...發(fā)布時(shí)間：2014-03-13 點(diǎn)擊次數(shù)：976 次
-
IGBT模塊絕緣柵雙極型晶體管 IGBT模塊絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降...發(fā)布時(shí)間：2014-03-10 點(diǎn)擊次數(shù)：978 次
-
BUSSMANN熔斷器的簡(jiǎn)介 BUSSMANN熔斷器作為全球市場(chǎng)上電路保護(hù)方案的世界領(lǐng)先者，CooperBussmann公司的電路保護(hù)方案廣泛應(yīng)用於世界各地，並符合UL®、CE、CSA®、IEC、BS、VDE、SEMK...發(fā)布時(shí)間：2014-02-14 點(diǎn)擊次數(shù)：962 次
-
FERRAZ熔斷器悠久歷史 1891GénéraleElectriquedeNancy誕生在法國(guó)摩澤爾省。GénéraleElectriquedeNancy業(yè)務(wù)主要生產(chǎn)電動(dòng)機(jī),發(fā)電機(jī)，照明領(lǐng)域。1892LECARBONE公司在巴黎地區(qū)誕生...發(fā)布時(shí)間：2014-01-16 點(diǎn)擊次數(shù)：1018 次
-
BUSSMANN熔斷器悠久歷史 1891GénéraleElectriquedeNancy誕生在法國(guó)摩澤爾省。GénéraleElectriquedeNancy業(yè)務(wù)主要生產(chǎn)電動(dòng)機(jī),發(fā)電機(jī)，照明領(lǐng)域。1892LECARBONE公司在巴黎地區(qū)誕生...發(fā)布時(shí)間：2014-01-14 點(diǎn)擊次數(shù)：1057 次
-
IGBT模塊的簡(jiǎn)介 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFE...發(fā)布時(shí)間：2014-01-08 點(diǎn)擊次數(shù)：966 次
-
IGBT模塊在攜帶式變頻氣絕緣X射線(xiàn)機(jī)中的應(yīng)用 自從70年代末80#：代初我國(guó)開(kāi)始研制輕便的攜帶式變頻氣絕緣x射線(xiàn)探傷機(jī)來(lái)替代早期笨重的工頻油絕緣X射線(xiàn)探傷機(jī)以來(lái)，國(guó)內(nèi)外主要生產(chǎn)廠商絕大多數(shù)都是采用傳統(tǒng)的瓊斯逆變電路將經(jīng)過(guò)整流、濾波后的直流電壓變換成...發(fā)布時(shí)間：2014-01-05 點(diǎn)擊次數(shù)：1042 次
-
測(cè)量可控硅的參數(shù) 可控硅的主要參數(shù)： VG—操控極*大觸發(fā)電壓，指在規(guī)定環(huán)境溫度下，對(duì)陽(yáng)極和陰極間加上給定的正向電壓（一般為6V）,使可控硅由截止轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通時(shí)所需要的*大觸發(fā)電壓。 VGN—操控極不觸發(fā)電壓，指在額定結(jié)...發(fā)布時(shí)間：2014-01-04 點(diǎn)擊次數(shù)：1488 次
-
整流二極管概述 整流二極管一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽?dǎo)體器件。通常它包含一個(gè)PN結(jié)，有陽(yáng)極和陰極兩個(gè)端子。其結(jié)構(gòu)如圖1所示。P區(qū)的載流子是空穴,N區(qū)的載流子是電子，在P區(qū)和N區(qū)間形成一定的位壘。外加使P區(qū)相對(duì)N區(qū)...發(fā)布時(shí)間：2014-01-02 點(diǎn)擊次數(shù)：1022 次
-
熔斷器的選用原則 ①熔斷器額定電壓應(yīng)符合電動(dòng)機(jī)的運(yùn)行電壓。熔斷器的運(yùn)作電壓與其熔管長(zhǎng)度及絕緣強(qiáng)度有關(guān)。不能把熔斷器用在高于其額定電壓的回路中，也不能把大熔片裝N／．b熔斷管中。②熔斷器的額定電流應(yīng)大于電動(dòng)機(jī)回路長(zhǎng)期通過(guò)的*大運(yùn)作...發(fā)布時(shí)間：2013-12-29 點(diǎn)擊次數(shù)：1058 次
-
如何使用可控硅 ？ 在日常的控制應(yīng)用中我們都通常會(huì)遇到需要開(kāi)關(guān)交流電的應(yīng)用，一般控制交流電的時(shí)候，我們會(huì)使用很多種方法，如： 1、使用繼電器來(lái)控制，如電飯煲，洗衣機(jī)的水閥： 2、使用大功率的三極管或IGBT來(lái)控制： 3、使用...發(fā)布時(shí)間：2013-12-28 點(diǎn)擊次數(shù)：1115 次
-
熔斷器特點(diǎn)和分類(lèi) 1熔斷器的特點(diǎn) 熔體額定電流不等于熔斷器額定電流，熔體額定電流按被保護(hù)設(shè)備的負(fù)荷電流選擇，熔斷器額定電流應(yīng)大于熔體額定電流，與主電器配合確定。 2熔斷器分類(lèi) (1)螺旋式熔斷器RL： 在熔斷管裝有石英砂，熔...發(fā)布時(shí)間：2013-12-25 點(diǎn)擊次數(shù)：1539 次
-
可控硅交流調(diào)壓器原理 可控硅交流調(diào)壓器：是一種以可控硅（電力電子功率器件）為基礎(chǔ)，以智能數(shù)字控制電路為核心的電源功率控制電器，簡(jiǎn)稱(chēng)可控硅調(diào)壓器，又稱(chēng)可控硅調(diào)功器，可控硅調(diào)整器，晶閘管調(diào)整器，晶閘管調(diào)壓器，電力調(diào)整器，電力調(diào)壓器...發(fā)布時(shí)間：2013-12-13 點(diǎn)擊次數(shù)：1092 次
-
BUSSMANN熔斷器主要優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn) 熔斷器的主要優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn) ①選擇性好。上下級(jí)熔斷器的熔斷體額定電流只要符合國(guó)標(biāo)和IEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的過(guò)電流選擇比為1.6：1的要求，即上級(jí)熔斷體額定電流不小于下級(jí)的該值的1.6倍，就視為上下級(jí)能有選擇性切斷故障電...發(fā)布時(shí)間：2013-12-12 點(diǎn)擊次數(shù)：1071 次
-
可控硅分類(lèi) 可控硅有多種分類(lèi)方法。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類(lèi)：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門(mén)極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。（二）按引...發(fā)布時(shí)間：2013-12-01 點(diǎn)擊次數(shù)：1180 次
